1. EP 2768027 A1/WO 2014125094 A1 Layer structure for a group-III-nitride normally-off transistor
A layer structure (100) for a normally-off transistor comprises an electron-supply layer (910) made of a group-III-nitride material, a back-barrier layer (906) made a group-III-nitride material, a channel layer (908) between the electron-supply layer (910) and the back-barrier layer (906), made of a group-III-nitride material having a band-gap energy that is lower than the band-gap energies of the other layer mentioned. The material of the back-barrier layer (906) is of p-type conductivity, while the material of the electron-supply layer (910) and the material of the channel layer (908) are not of p-type conductivity, the band-gap energy of the electron-supply layer (910) is smaller than the band-gap energy of the back-barrier layer (906); in absence of an external voltage a lower conduction-band-edge of the third group-III-nitride material in the channel layer (908) is higher in energy than a Fermi level of the material in the channel layer (908).
Inventor: Saad Murad, Stephan Lutgen
Applicant: Azzurro Semiconductors AG

2. EP 2767620 A1 P-doping of group-III-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate
The invention relates to an epitaxial group-III-nitride buffer-layer structure (100) on a heterosubstrate, wherein the buffer-layer structure (100) comprises at least one stress-management layer sequence S including an interlayer structure (530) arranged between and adjacent to a first and a second group-III-nitride layer (120, 140), wherein the interlayer structure (130) comprises a group-III-nitride interlayer material having a larger band gap than the materials of the first and second group-III-nitride layers (120, 140), and wherein a p-type-dopant-concentration profile drops, starting from at least 1×1018 cm-3, by at least a factor of two in transition from the interlayer structure (130) to the first and second group-III-nitride layers (120, 140).
Inventor: Stephan Lutgen, Saad Murad, Ashay Chitnis
Applicant: Azzurro Semiconductors AG

3. EP 2860769 A1 Layer structure for surface-emitting thin-film p-side-up light-emitting diode
A layer structure 100 for a surface-emitting LED having an emission surface 101 that is closer to a p-side of the structure than to an n-side of the structure, and further comprising a transparent anode layer 110, a p-type layer 120, a light-emitting group-III-nitride structure 130, an n-type layer 140, a cathode layer 150, an electrically insulating layer 160 under the cathode layer, a metallically conductive anode contact substrate 170 under the insulating layer, at least one vertical interconnect 175 electrically connecting the anode contact substrate and the anode layer, a metallically conductive cathode contact substrate 180 electrically connected with and arranged under the cathode layer, wherein either the insulating layer or the cathode layer is reflective, and wherein the cathode contact substrate and/or the anode contact substrate have a suitable thickness for forming a mechanical support of the layer structure.
Inventor: Ashay Chitnis, Andreas Pinos, Stephan Lutgen, Wei-Sin TaN
Applicant: Azzurro Semiconductors AG

4. EP 1700363 B1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtenfolgen für optisch gepumpte Halbleitervorrichtungen
Es wird ein neues Verfahren zur Herstellung verspannungskompensierender Halbleiterschichten vorgeschlagen, sowie dessen Verwendung zur Herstellung von verspannungskontrollierten Halbleiterschichtsystemen und zur Herstellung von optisch gepumpten Halbleitervorrichtung zur Erzeugung von Strahlung, vorzugsweise langwelliger Strahlung.
Inventor: Stephan Lutgen, Wolfgang Stolz
Applicant: Philipps-Universität Marburg

5. US 20070217457 A1 Optically Pumped Semiconductor Devices for the Generation of Radiation, Their Production as Well as Methods for the Strain Compensation in the Layer Successions used Within
A new method for the production of strain-compensating semiconductor layers is suggested, as well as its use for the production of strained-controlled semiconductor layer systems and the production of optically pumped semiconductor devices for the production of radiation, preferably long-wave radiation.
Inventor: Wolfgang Stolz, Stephan Lutgen
Applicant: Wolfgang Stolz, Stephan Lutgen

6. EP2415085 B1/WO2010112310 A1 Optoelectronic semiconductor chip
In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), said chip is based on a nitride material system and comprises at least one active quantum well (2). The at least one active quantum well (2) is designed to generate electromagnetic radiation during operation. Furthermore, in a direction parallel to a growth direction z of the semiconductor chip (1), the at least one active quantum well (2) has N successive zones (A), where N is a natural number higher than or equal to 2. At least two of the zones (A) of the active quantum well (2) have average indium contents c that are different from each other.
Inventor: Adrian Stefan Avramescu, Désirée Queren, Christoph Eichler, Matthias Sabathil, Stephan Lutgen, Uwe Strauss
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

7. US 8855155 B2 Semiconductor Laser Light Source
In at least one embodiment of the semiconductor laser light source, the latter includes a carrier and at least two semiconductor lasers. The semiconductor lasers are mounted on a carrier top. The semiconductor laser light source furthermore includes at least one optical component, which is arranged downstream of at least one of the semiconductor lasers in a direction of emission. The semiconductor lasers and the optical component are housed tightly in a common enclosureby way of a cover. The dimensions of the enclosure, viewed in three orthogonal spatial directions, amount in each case to at most 8 mm x 8 mm x 7 mm.
Inventor: Stephan Lutgen, Stefan Groetsch
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

8. US 8908733 B2 Optoelectronic semiconductor chip
In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), said chip is based on a nitride material system and comprises at least one active quantum well (2). The at least one active quantum well (2) is designed to generate electromagnetic radiation during operation. Furthermore, the at least one active quantum well (2) has N successive zones (A) in a direction parallel to a growth direction z of the semiconductor chip (1), N beeing a natural number greater than or equal to 2. At least two of the zones (A) of the active quantum well (2) have mutually different average indium contents c. Furthermore the at least one active quantum well (2) fulfills the condition: 40≤ ∫ c(z)dz – 2.5N-1.5 ∫ dz ≤80
Inventor: Adrian Stefan Avramescu, Désirée Queren, Christoph Eichler, Matthias Sabathil, Stephan Lutgen, Uwe Strauss
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

9. EP 02313934 B1 Production Method for a III-V Based Optoelectronic Semiconductor Chip Containing Indium and Corresponding Chip
An optoelectronic semiconductor chip (1) is herein described which comprises a non-planar growth layer (2), which contains at least one first nitride compound semiconductor material, and an active zone (5), which contains at least one second nitride compound semiconductor material and is arranged on the growth layer (2), and a top layer (7), which is arranged on the active zone (5), the growth layer (2) comprising structure elements (4) at a growth surface (3) facing the active zone (5).
Inventor: Stephan Lutgen, Christoph Eichler, Marc Schillgalies, Desiree Queren
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

10. WO2010124989A1 Edge-emitting semiconductor laser
The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body (10), which comprises a waveguide region (4), wherein the waveguide region (4) comprises a first waveguide layer (2a), a second waveguide layer (2b), and an active layer (3) arranged between the first waveguide layer (2a) and the second waveguide layer (2b) for producing laser radiation (5), and the waveguide region (4) is arranged between a first cover layer (1a) and a second cover layer (1b) following the waveguide region (4) in the growth direction of the semiconductor body (10). The waveguide region (4) has a thickness (d) of 400 nm or less, and an emission angle of the laser radiation (5) leaving the semiconductor body (10) in a direction parallel to the layer plane of the active layer (3) and the emission angle of the laser radiation (5) leaving the semiconductor body (10) in a direction perpendicular to the layer plane of the active layer (3) differ by less than a factor of 3.
Inventor: Marc Schillgalies, Stephan Lutgen, Uwe Strauss
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

11. US 8331411 B2 Edge-emitting semiconductor laser
The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body (10), which comprises a waveguide region (4), wherein the waveguide region (4) comprises a first waveguide layer (2A), a second waveguide layer (2B) and an active layer (3) arranged between the first waveguide layer (2A) and the second waveguide layer (2B) and serving for generating laser radiation (5), and the waveguide region (4) is arranged between a first cladding layer (1A) and a second cladding layer (1B) disposed downstream of the waveguide region (4) in the growth direction of the semiconductor body (10). The waveguide region (4) has a thickness d of 400 nm or less, and an emission angle of the laser radiation (5) emerging from the semiconductor body (10) in a direction parallel to the layer plane of the active layer (3) and the emission angle of the laser radiation (5) emerging from the semiconductor body (10) in a direction perpendicular to the layer plane of the active layer (3) differ from one another by less than a factor of 3.
Inventor: Marc Schillgalies, Stephan Lutgen, Uwe Strauss
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

12. DE 102008064427 A1 Halbleiterlaserbauelement
Es wird ein kantenemittierendes Halbleiterlaserbauelement angegeben mit
– einer p-dotierten Elektronenblockierschicht (4),
– einer Abstandhalterschicht (5), und
– einer strahlungserzeugenden Schichtenfolge (6), wobei
– die strahlungserzeugende Schichtenfolge (6) auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere auf InGaN, basiert,
– die Abstandhalterschicht (5) zwischen der p-dotierten Elektronenblockierschicht (4) und der strahlungserzeugenden Schichtenfolge angeordnet ist und
– die Abstandhalterschicht eine Dicke (D1) zwischen wenigstens 15 nm und höchstens 40 nm aufweist.
Inventor: Stefanie Brüninghoff, Christoph Eichler, Stephan Lutgen, Marc Schillgalies
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

13. DE 102008035784 A1 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
Vorliegend wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer nicht planaren Aufwachsschicht (2), die mindestens ein erstes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, sowie einer aktiven Zone (5), die mindestens ein zweites Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält und auf der Aufwachsschicht (2) angeordnet ist, und einer Deckschicht (7), die ein transparentes leitendes Oxid enthält und auf der aktiven Zone (5) angeordnet ist, beschrieben, wobei die Aufwachsschicht (2) an einer der aktiven Zone (5) zugewandten Aufwachsoberfläche (3) Strukturelemente (4) aufweist.
Inventor: Christoph Eichler, Stephan Lutgen, Désirée Queren, Marc Schillgalies
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

14. WO 2007118440 A3: Optoelektronisches Halbleiterbauelement
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit: einem oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2) umfassend eine Vertikalemitterschicht (3), zumindest einer Pumpquelle (4), die zum optischen Pumpen der Vertikalemitterschicht (3) vorgesehen ist, und einer Strahlungsdurchtrittsfläche (26) durch die in der Vertikalemitterschicht erzeugte elektromagnetische Strahlung (31) den Halbleiterkörper (1) verlässt, angegeben, wobei die Pumpquelle (4) und die Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung voneinander beabstandet sind.
Inventor: : Tony Albrecht, Peter Brick, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

15. EP 2005542 B1 Optoelectronic semiconductor element
An optoelectronic semiconductor component has a semiconductor body (1) comprising a surface emitting vertical emitter region (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) provided for optically pumping the vertical emitter layer (3), and a radiation passage area (26) through which electromagnetic radiation (31) generated in the vertical emitter layer leaves the semiconductor body (1), wherein the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) are at a distance from one another in a vertical direction.
Inventor: Stephan Lutgen, Peter Brick, Tony Albrecht
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

16. US 8351479 B2 Optoelectronic Semiconductor Element
An optoelectronic semiconductor component has a semiconductor body (1) comprising a surface emitting vertical emitter region (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) provided for optically pumping the vertical emitter layer (3), and a radiation passage area (26) through which electromagnetic radiation (31) generated in the vertical emitter layer leaves the semiconductor body (1), wherein the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) are at a distance from one another in a vertical direction.
Inventor: Stephan Lutgen, Peter Brick, Tony Albrecht
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

17. US 7570682 B2 VCSEL pumped in a monolithically optical manner and comprising a laterally applied edge emitter
A semiconductor laser device comprising an optically pumped surface-emitting vertical emitter region (2) which has an active radiation-emitting vertical emitter layer (3) and has at least one monolithically integrated pump radiation source (5) for optically pumping the vertical emitter region (2), which has an active radiation-emitting pump layer (6). The pump layer (6) follows the vertical emitter layer (3) in the vertical direction and a conductive layer (13) is provided between the vertical emitter layer (3) and the pump layer (6). Furthermore, a contact (9) is applied on the side of the semiconductor laser device which is closer to the pump layer (6) than to the conductive layer (13). An electrical field can be applied between this contact (9) and the conductive layer (13) for generating pump radiation (7) by charge carrier injection
Inventor: Tony Albrecht, Peter Brick, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

18. DE 102004024611 A1 Optisch gepumpte Halbleitervorrichtung
Die Erfindung betrifft eine optisch gepumpte Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der eine vertikal emittierende Quantentopfstruktur zur Erzeugung eines Vertikalstrahlungsfeldes enthält, wobei die Quantentopfstruktur eine Mehrzahl von Quantenschichten umfasst, zwischen denen Barriereschichten angeordnet sind, und die Quantenschichten zum optischen Pumpen mittels eines Pumpstrahlungsfeldes vorgesehen sind. Die Halbleitervorrichtung weist einen vertikalen Resonator für das Pumpstrahlungsfeld mit einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Spiegelschicht auf, in dem die Quantentopfstruktur angeordnet ist.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

19. EP 1502336 B1/WO 2003094311 A3: Optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung mit einem Vertikalemitter (1), der einen Zentralwellenleiter (3) und eine innerhalb des Zentralwellenleiters (3) angeordnete Quantentopfstruktur mit mindestens einer Quantenschicht (5) aufweist, und einer Pumpstrahlungsquelle, die die Quantentopfstruktur optisch pumpt und die mindestens einen Pumpwellenleiter (9) umfasst, in dem die Pumpstrahlung (11) geführt wird. Die Breite (A) des Zentralwellenleiters (3) ist grösser als die Breite (B) des Pumpwellenleiters (B), wobei die Breite (A) des Zentralwellenleiters (3) und die Breite (B) des Pumpwellenleiters (9) derart aneinander angepasst sind, dass die Quantentopfstruktur des Vertikalemitters (1) gleichförmig gepumpt wird.
Inventor: : Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

20. US 7551660 B2 Optically pumped semiconductor laser device
An optically pumped semiconductor laser apparatus. The apparatus includes a vertical emitter which has a central waveguide and a quantum well structure which is arranged within the central waveguide and has at least one quantum layer. The apparatus also includes a pump radiation source, which optically pumps the quantum well structure and comprises at least one pump waveguide in which the pump radiation is guided. The width of the central waveguide is greater than the width of the pump waveguide, with the width of the central waveguide and the width of the pump waveguide being matched to one another such that the quantum well structure of the vertical emitter is pumped uniformly.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

21. US 20040233961 A1 Optically pumped semiconductor device
An optically pumped semiconductor device has a semiconductor body containing a vertically emitting quantum well structure for generating a vertical radiation field. The quantum well structure contains a plurality of quantum layers between which barrier layers are disposed, and the quantum layers are provided for optically pumping by a pump radiation field. The semiconductor device has a vertical resonator for the pump radiation field with a mirror layer disposed on the semiconductor body, the quantum well structure is disposed in the resonator.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

22. DE 102005058237 A1 Oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement und optische Projektionsvorrichtung mit solch einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser-Bauelement
Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement offenbart, mit
– einem Resonator (3, 9),
– einem Halbleiterkörper (5), der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene Schichtenfolge (4) umfasst,
– einem transparenten, frequenzselektiven Wärmeleitelement (6), das sich mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (5a) des Halbleiterkörpers (5) in thermischem Kontakt befindet, und
– einem optischen Bandpassfilter (8), das geeignet ist, vorgebbare Resonatormoden zu unterdrücken.
Das beschriebene oberflächenemittierende Halbleiterlaser-Bauelement eignet sich besonders gut für die Verwendung in einer optischen Projektionsvorrichtung.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

23. EP 1770835 B1 Oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement und optische Projektionsvorrichtung mit solch einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser-Bauelement
Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement angegeben. Darüber hinaus wird eine optische Projektionsvorrichtung mit solch einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser-Bauelement angegeben.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

24. DE 10056476 B4 Radiation-emitting semiconductor body and the process for its preparation
Radiation-emitting semiconductor body (1) with a radiation-generating layer sequence (2) and to the generated radiation is at least partially transmissive window layer (3), characterized in that the window layer (3) comprises a plurality of successive AlGaAs layers (4, 5, 6) which are prepared by liquid phase epitaxy and from the sequence of layers (2) each having an Al content in the AlGaAs of the generated radiation is transparent and the Al content in each of the AlGaAs layers (4, 5, 6) decreases in the direction of the radiation-generating layer sequence (2) out, the adjacent to the active layer sequence (2) located AlGaAs layer (6) has an Al content in the transition region to the active layer sequence (2) located beneath the transmission line to the radiation generated.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

25. WO 2002065555 A1 Radiation emitting semiconductor bodies and method for the production thereof
The invention relates to a radiation producing layer sequence (2) grown directly on a window layer (3), which has one or a plurality of successive AlGaAs layers (4, 5, 6). The AlGaAs layers are produced by liquid phase epitaxy or a similar method and have an AI content remotely from the layer sequence (2), wherein the AlGaAs is permeable to the radiation produced. The Al content diminishes in each of the AlGaAs layers (4, 5, 6) in the direction of the active layer sequence (2). The window layer (3) alternatively consists of a self-supporting AlGaAs expitaxial substrate (7) having an Al content in which AlGaAs is permeable to the radiation produced.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

26. DE 102004049683 A1 Edge emitting semiconductor laser, has arrangement for selection of transversal modes of laser integrated in semiconductor chip that includes active layer formed as quantum well structure, which is inter-mixed at region of chip
The laser has a semiconductor chip (1) has an active layer, and an arrangement for selection of transversal modes of the semiconductor laser integrated in the chip. The active layer is formed as a quantum well structure, which is partly inter-mixed at a region of the chip by a diffusion process. The arrangement includes a convolution mirror, which forms a laser resonator with the resonator mirror of the chip and arrangement.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

27. US 7792174 B2 Surfaceemitting semiconductor laser component and optical projection apparatus with a surface-emitting semiconductor laser component such as this
A surfaceemitting semiconductor laser component is disclosed, having a resonator (3, 9), a semiconductor body (5) which comprises a layer sequence (4) which is intended for radiation production, a transparent, frequency-selective thermally conductive element (6) which makes thermal contact with a surface (5 a) of the semiconductor body (5) through which radiation passes, and an optical bandpass filter (8) which is suitable for suppression of predeterminable resonator modes.
Inventor: Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

28. US 8208512 B2 Surface emitting semiconductor body with vertical emission direction and stabilized emission wavelength
A surface emitting semiconductor body with a vertical emission direction is specified, which is provided for operation with a resonator and comprises a semiconductor layer sequence with an active region, wherein the semiconductor body is embodied in wavelength-stabilizing fashion in such a way that a peak wavelength of the radiation generated in the active region, in a predetermined operating range of the semiconductor body, is stabilized with respect to changes in the output power of the radiation generated in the active region.
Inventor: Peter Brick, Wolfgang Diehl, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

29. DE 10219345 B4 Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Co-Dotierung
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer aktiven, Photonen emittierenden Schicht und einer epitaktischen p-dotierten AlGaAs-Deckschicht hoher Querleitfähigkeit zur homogenen Strominjektion in die aktive Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die p-dotierte AlGaAs-Deckschicht Aluminium in einer Konzentration x mit 0 ≤ x ≤ 30% aufweist und mit zumindest zwei verschiedenen p-Dotierstoffen dotiert ist, wobei die Dotierstoffkonzentration des ersten p-Dotierstoffes mehr als 1019 cm–3 und die Dotierstoffkonzentration des zweiten p-Dotierstoffes weniger als 1019 cm–3 beträgt.
Inventor: Stephan Lutgen, Andreas Orth
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

30. DE 10214120 B4 Optisch pumpbare oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung
Oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit einem mittels einer Pumpstrahlungsquelle optisch pumpbaren Vertikalemitter (20), der eine strahlungserzeugende Schicht (14) und einen externen Resonator aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine Modulationsstrahlungsquelle (30) zur Modulation der Ausgangsleistung der oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung vorgesehen ist, die eine kantenemittierende Halbleiterstruktur (15) mit einer strahlungserzeugenden aktiven Schicht umfaßt, und die so angeordnet ist, daß sie im Betrieb Strahlung emittiert, die in die strahlungserzeugende aktive Schicht (14) des Vertikalemitters (20) eingekoppelt wird und dort eine mittels der Pumpstrahlungsquelle erzeugte Besetzungsinversion zumindest teilweise abbaut.
Inventor: Tony Albrecht, Norbert Linder, Johann Luft, Stephan Lutgen, Werner Späth, Ulrich Steegmüller
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

31. EP 1792373 B1 /US 6947460 B2 Lateral optically pumped surface-emitting semiconductor laser with an integrated heat sink
The invention relates to a surface-emitting semi-conductor device comprising at least one surface emitting semi-conductor laser (21) provided with a vertical emitter (1) and at least one pump radiation source (2), which are integrated next to each other in a monolithic manner on a common substrate (13). The semi-conductor laser device also comprises a thermoconductor element (18) which is in thermal contact with the semiconductor laser (21) and which has a mounting surface which is mounted on a carrier (27). The invention further relates to methods for producing said type of surface emitting semi-conductor laser device.
Inventor: Tony Albrecht, Stephan Lutgen, Wolfgang Reill, Thomas Schwarz, Ulrich Steeg- müller
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

32. DE 10323860 A1 Semiconductor edge emitting laser has active layer on resonator axis and epitaxially grown resonating mirrors on the side surfaces of the semiconductor body
A semiconductor laser device comprises a radiationally active layer (24) parallel to a resonating axis (17) between the main surfaces (16,18) of a semiconductor body (14). There are two resonating mirrors (40,42) on the side surfaces which are epitaxially grown semiconductor layers. An Independent claim is also included for a production process for the above.
Inventor: Christian Karnutsch, Norbert Linder, Johann Luft, Stephan Lutgen, Wolfgang Schmid
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

33. EP 1535376 B1/US 7529284 B2 Semiconductor optical pumping device for radiation emission and the production method thereof
An optically pumped, radiation-emitting semiconductor device having a semiconductor body which includes at least one pump radiation source (20) and a surface-emitting quantum well structure (11), the pump radiation source (20) and the quantum well structure (11) being monolithically integrated. The pump radiation source (20) generates pump radiation (2) for optically pumping the quantum well structure (11), a recess (10) for introducing the pump radiation (2) in the quantum well structure (9) being formed in the semiconductor body between the pump radiation source (20) and the quantum well structure (11).
Inventor: Christian Karnutsch, Norbert Linder, Johann Luft, Stephan Lutgen, Wolfgang Schmid
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

34. US 7522646 B2 Vertically emitting optically pumped diode laser with external resonator
A vertically emitting semiconductor laser with an external resonator, a semiconductor body (1) in which a quantum well structure (4) is located as active zone that includes quantum wells (6) and barrier layers (5) situated therebetween, and at least one pumping radiation source (9) for irradiating into the active zone at an incidence angle αp pumping radiation (10) of wavelength λp. The wavelength λp and the incidence angle αp of the pumping radiation are selected in such a way that the absorption of the pumping radiation takes place substantially inside the quantum wells. This avoids the losses during the capture of charge carriers from the barrier layers into the quantum wells that occur in the case of optically pumped semiconductor lasers where the pumping radiation is absorbed in the barrier layers. Also specified are advantageous refinements of the semiconductor body and combinations for incidence angle and wavelength of the pumping radiation source that permit a particularly effective optical pumping process of the quantum wells.
Inventor: Peter Brick, Stephan Lutgen, Norbert Linder
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

35. DE 10260183 A1 Vertically emitting optically pumped semiconductor laser with external resonator and semiconductor body with quantum trough structure as active zone with intertrough barriers
In laser semiconductor body (1) is contained quantum trough structure (4) as active zone, with intermediate barrier layers (5) between troughs (6). At least one pump radiation source (9) radiates pump radiation (10) of wavelength (lambdap) at impingement angle (alphap) into active zone. The wavelength and impingement angle of pump radiation are so chosen that absorption of pump radiation takes place within the troughs. On side, away from pump radiation source, the laser is fitted with rear side reflector for pump radiation.
Inventor: Peter Brick, Norbert Linder, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

36. DE 102005053274 A1 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterbauelement
Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (6) in einem Waferverbund wird eine Halbleiterschichtenfolge (2) auf ein Aufwachssubstrat (1) aufgewachsen, eine Metallisierung (3) auf die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht, eine Metallschicht (4) galvanisch auf die Metallisierung (3) abgeschieden und nachfolgend die Halbleiterschichtenfolge (2) zu einzelnen Halbleiterchips (6) strukturiert und vereinzelt. Die galvanisch aufgebrachte Metallschicht (4) ist insbesondere als Wärmespreizer zur Abfuhr der von den Halbleiterchips (6) erzeugten Wärme geeignet.
Inventor: Tony Albrecht, Stephan Lutgen, Wolfgang Reill
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

37. US 8178372 B2 Method for production of a plurality of semiconductor chips, and a semiconductor component
A method for production of a plurality of semiconductor chips (6) in a wafer composite. A semiconductor layer sequence (2) is grown on a growth substrate (1), metallization (3) is applied to the semiconductor layer sequence (2), a metal layer (4) is electrochemically deposited onto the metallization (3), and the semiconductor layer sequence (2) is then structured and separated to form individual semiconductor chips (6). The electrochemically applied metal layer (4) is particularly suitable for use as a heat spreader, for dissipation of the heat produced by the semiconductor chips (6).
Inventor: Stephan Lutgen, Tony Albrecht, Wolfgang Reill
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

38. DE 102005058900 A1/EP 1796232 A1 Vertikal emittierender, optisch gepumpter Halbleiterlaser mit externem Resonator

Die Erfindung betrifft einen vertikal emittierenden Halbleiterlaser mit einem externen Resonator (7), einem Halbleiterkörper (1) und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle (9). Der Halbleiterkörper (1) weist eine Quantenschichtstruktur (2) als aktive Zone auf, die Quantenschichten (3) und dazwischen liegende Barriereschichten (4) umfasst. Weiterhin weist der Halbleiterkörper (1) auf einer Seite der Quantenschichtstruktur (2) einen Bragg-Reflektor (5) auf. Erfindungsgemäß umfasst der Bragg-Reflektor (5) Schichten, die aperiodisch derart zueinander angeordnet sind, dass eine Absorption der Pumpstrahlung (10) im Wesentlichen innerhalb der Quantenschichtstruktur (2) erfolgt.

Erfinder Peter Brick, Stephan Lutgen
Antragsteller: Osram Opto Semiconductors GmbH

39. DE 102004007881 A1 Optische gepumpte Laservorrichtung zur Erzeugung von Laserimpulsen
Die Erfindung betrifft eine Laservorrichtung zur Erzeugung von Laserimpulsen mit einem optisch gepumpten Halbleiterlaser (1), der einen externen Resonator aufweist, wobei in dem externen Resonator mindestens ein Modenkoppler angeordnet ist.
Inventor: Peter Brick, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

40. WO 2011117185 A1 Halbleiterlaserlichtquelle
In mindestens einer Ausführungsform der Halbleiterlaserlichtquelle (1) umfasst diese einen Träger (2) sowie mindestens zwei Halbleiterlaser (3). Die Halbleiterlaser (2) sind an einer Trägeroberseite (20) angebracht. Die Halbleiterlaserlichtquelle (1) weist ferner mindestens eine optische Komponente (4) auf, die zumindest einem der Halbleiterlaser (3) in einer Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Über eine Abdeckung (5) sind die Halbleiterlaser (3) sowie die optische Komponente (4) in einem gemeinsamen Volumen (10) dicht gehaust. Abmessungen des Volumens (10), gesehen in drei orthogonalen Raumrichtungen, betragen jeweils höchstens 8 mm x 8 mm x 7 mm.
Inventor: Stephan Lutgen, Stefan Groetsch
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

41. US 20130039374 A1 Semiconductor Laser Light Source
In at least one embodiment of the semiconductor laser light source, the latter includes a carrier and at least two semiconductor lasers. The semiconductor lasers are mounted on a carrier top. The semiconductor laser light source furthermore includes at least one optical component, which is arranged downstream of at least one of the semiconductor lasers in a direction of emission. The semiconductor lasers and the optical component are housed tightly in a common enclosure by way of a cover. The dimensions of the enclosure, viewed in three orthogonal spatial directions, amount in each case to at most 8 mm×8 mm×7 mm.
Inventor: Stephan Lutgen, Stefan Groetsch
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

42. DE 10318424 A1 Halbleiteranordnung
Es ist eine Halbleiteranordnung vorgesehen, die aus einem Substrat besteht, auf dem einseitig eine Oberflächenschicht mit einer aktiven wärmeerzeugenden Struktur ausgebildet ist. Auf der der Oberflächenschicht gegenüberliegenden Rückseite des Substrats ist zumindest eine Vertiefung zum Einbringen einer Kühlflüssigkeit ausgebildet.
Inventor: Stefan Grötsch, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

43. WO 2010015221 A1 Halbleiterlaser mit einem optisch nichtlinearen kristall
In mindestens einer Ausführungsform des Halbleiterlasers (1) umfasst dieser ein Halbleiterlaserelement (2), das im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer Fundamentalwellenlänge emittiert, einen Endspiegel (3), einen polarisationsabhängig reflektierenden Umlenkspiegel (4), der sich zwischen Halbleiterlaserelement (2) und Endspiegel (3) befindet, und mindestens einen optisch nichtlinearen Kristall (5), der für eine Frequenzkonversion vom Typ II der Fundamentalwellenlänge gestaltet ist und der eine Lambda/Halbe-Bedingung für die Fundamentalwellenlänge erfüllt. Ein solcher Halbleiterlaser (1) weist eine schmalbandige Emission der Fundamentalwellenlänge auf und ermöglicht eine hohe Effizienz bei der Frequenzkonversion.
Inventor: Michael Kuehnelt, Peter Brick, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH

44. EP 1683245 B1 Monolithischer optisch gepumpter VCSEL mit seitlich angebrachtem Kantenemitter
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.
Inventor: Michael Kuehnelt, Peter Brick, Stephan Lutgen
Applicant: Osram Opto Semiconductors GmbH